本文摘要：在我的上一篇关于EE时代的电源技巧博文中，我辩论了如何用于一个双电源反激式电路来提高低功耗隔绝式转换器的效率。
在我的上一篇关于EE时代的电源技巧博文中，我辩论了如何用于一个双电源反激式电路来提高低功耗隔绝式转换器的效率。与单电源反激式电路比起，双电源反激式电路的主要代价就是必须一个浮动的低外侧驱动。一个栅极驱动变压器一般来说用作双电源反激式电路的低外侧FET，而栅极驱动变压器的用于是必须一些技巧的。如果磁芯没在每个周期内准确废黜，那么它就有可能饱和状态。
其中一个最少见的驱动技术就是用于一个与驱动绕组串联的AC耦合电容器。这个电容器将平均值电流强迫为0A，这就保证了变压器会饱和状态。然而，它依然有可能在瞬态时饱和状态，而驱动信号的DC信息将不会在驱动变压器的次级侧上遗失。 图1表明的是在没有适当用于耦合电容器时驱动一个变压器的非常简单方法。
当驱动信号变成高电平时，小信号FET，Q2接上，而驱动电压被产生在变压器的绕组上。当驱动信号变成低电平时，它将绕组的同名末端下拉至短路，并且重开Q2。当Q2重开时，变压器内的磁化电流相反偏置D1，在忽略的方向上，将VDD产生在变压器绕组上。
为了多于50%的频率，变压器确保需要几乎废黜。通过减少一个与D1串联的齐纳二极管，你可以将频率扩展到50%以上。 这个驱动电路获取了两个额外的优势。
首先，所有的磁化能量被重复使用至VDD，从而提升了效率。第二，在磁化废黜期间内，FET的驱动由一个胜驱动构建。这个胜驱动需要通过减缓重开时间来增加开关损耗。
这个非常简单的驱动电路保证了驱动变压器的准确废黜，并且需要提高效率。
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